G.O.S.S.I.P 阅读推荐 2026-06-10 “坏”内存攻击！

原创

G.O.S.S.I.P
G.O.S.S.I.P

安全研究GoSSIP

2026年6月10日 21:32
上海

在小说阅读器读本章

去阅读

今年三月有一个雷死人的新闻（但是真的）：

https://www.chiphell.com/thread-2787084-1-1.html

具体是什么样的“1真+3假”套装呢？有图有真相（真的不是AI生成的）：

此事在2020年的旧闻中亦有记载：

https://post.smzdm.com/p/a078p0k0/

不过安全研究人员都是脑洞大开的，别人插上假内存是为了更好的灯效（其实很难理解2000后这种喜欢灯光效果的心态？）而安全研究人员可以利用假内存、坏内存实施安全攻击：在2025年的IEEE S&P会议上，来自欧洲的一组安全研究人员提出了BadRAM攻击，用一组“坏”（一字双关）内存来绕过SEV-SNP之类的保护：

https://badram.eu/

其实BadRAM的攻击很简单，就是造了个假的内存，号称有32G，实际只有16G（此事在我国的地摊上亦有记载，很多人在地摊上买过那个很便宜的32G的U盘，回来插上发现确实有32G空间但是没法用，拆开一看里面是512M的flash），这样不同的虚拟内存就会指向相同的物理地址（注意这个时候OS也好、Hypervisor也好都被欺骗了，它们并不知道物理内存其实是不够的），然后攻击者就可以利用这种虚拟内存的“重用”机制完成攻击。

到了2026年，同一组研究人员 ~~为了发论文刷KPI~~ 再接再厉，提出了新一轮的坏内存攻击——BatteringRAM攻击，这个攻击和去年的BadRAM攻击有什么差别呢？

https://batteringram.eu/

BatteringRAM攻击本质上还是把内存搞坏，但是弄坏内存的方法比较特殊——这个攻击专门针对DDR4内存，首先把内存接到一个奇怪（但是非常便宜，造价50美刀）的转接器（interposer）上（还记得我们去年的文章【G.O.S.S.I.P 阅读推荐 2025-10-09 WireTap窃听风暴】吗？！）

这个神奇转接器的功能是让DDR4里面的Command/Adress bus对应的Command/Adress Line（CA Line）中的部分line永远保持低电平，相当于把这两个line给mask了。具体到DDR4，就是把A13和A11这两条CA Line接地：

为什么只选择这两条line，因为这个CA Line顾名思义，除了和address相关还和command相关，但是在DDR4规范里面，第11和第13条地址总线是不参与到相关的MRS command的，也就是说你干扰这两条CA Line不会影响正常的控制指令，只会让寻址出问题。这就很符合BadRAM的攻击原理：不同的虚拟内存就会指向相同的物理地址（你其实可以把这两个地址bit想象成网络那个子网掩码就容易理解了）。

在BadRAM攻击的威胁模型中，攻击者的核心能力是让两个虚拟地址指向同一个物理地址，因为攻击者假设是能够控制OS和Hypervisor的（而不能控制TEE），只需要让两个虚拟地址（一个是攻击者控制，另一个指向TEE中使用的内存）首先指向两个不同的物理地址，而这两个物理地址在内存CA Line的mask下刚好变成了同样的地址！这样攻击者就可以与被攻击的TEE去共享同样的物理内存信息了。

再接下来，请大家回忆下我们去年推送的文章，除了【G.O.S.S.I.P 阅读推荐 2025-10-09 WireTap窃听风暴】还有【G.O.S.S.I.P 阅读推荐 2025-10-22 寻找海光内存加密之墙的隙罅】，去年10月份我们从USENIX Security 2025中发掘了很多针对目前一些TEE（说的就是你们：Intel SGX、AMD SEV还有海光CSV）对应的内存加密方案的密码学设计缺陷，这些缺陷基本上都是因为内存加密方案不能对抗选择明文或者选择密文攻击（都2025年了还不会设计IND-CCA2的方案吗？）导致攻击者可以把TEE当成一个oracle来用，然后又配合上内存的物理攻击（物理上操控数据的写入和读取），就实施了攻击。今天介绍的BatteringRAM攻击和去年的BadRAM攻击本质上也是这类攻击方法，在论文的网站(https://batteringram.eu)上有很生动的示意图：